Как выбрать оперативную память и не ошибиться? Топ-5 планок по версии Игромании
Сегодняшний материал об оперативной памяти: кратко и без лишней воды пробежимся по основным её характеристикам, расскажем о том, на что может повлиять её неверный выбор, и о том, как этой ошибки избежать. Ну а в конце приведём список моделей, за которые ручаемся головой. Словом, это простой текст для тех, кто хочет быстро разобраться, купить и забыть.
Но и о тех, кому нужен более скрупулёзный и исчерпывающий подход к вопросу оперативки, мы не забыли: большая статья на эту тему уже в работе.
Дополнительные характеристики
Показывает какое количество данных может быть передано или получено за 1 секунду.
EСС (Error Checking and Correction – проверка и исправление ошибок) – это технология, разработанная для нахождения ошибок и их исправления (если ошибок не слишком много). Модули памяти с ECC, как правило, устанавливают на серверах и в дата-центрах, поскольку при небольшой нагрузке (среднестатистического ПК) ошибки практически не возникают. Модули памяти с ECC и без ECC несовместимы.
Буфер (регистр) повышает надежность хранения и передачи информации, но несколько снижает производительность. Буферизованная (регистровая) память устанавливается, как правило, на серверах, поскольку при незначительной нагрузке, такой, как на среднестатистическом ПК буфер только замедляет его работу. Буферизованные и небуферизованные модули памяти несовместимы.
Высота модуля памяти уменьшена до 25мм.
Количество контактов модуля памяти с гнездом материнской платы.
Количество чипов (микросхем), предназначенных для хранения памяти, находящихся на одном модуле.
Напряжение, которое требуется для питания модуля памяти. Для совместимости материнская плата должна поддерживать данное напряжение.
Наличие радиатора повышает теплоотведение, препятствуя перегреву оперативной памяти. Его наличие крайне желательно для модулей памяти, работающих на высоких частотах (больше 1333 МГц).
CAS-latency (column address strobe latency – задержка на получение столбца) — время ожидания (циклов) между запросом на получение данных из ячейки памяти и временем, когда она начнет считываться. CAS-latency (CL или CAS-задежка) является важной характеристикой быстродействия оперативной памяти. Чем она ниже, тем память работает быстрее. Возможно также дробное значение данного показателя (например: 2.5).
Расположение чипов (микросхем) памяти на планке. Чипы могут располагаться с одной или с двух сторон.
tRCD (RAS to CAS Delay) – задержка (в циклах) между сигналами, определяющими адрес строки (RAS — Row Address Strobe) и адрес столбца CAS (Column Address Strobe). Чем она ниже, тем быстрее работает оперативная память.
tRP (Row Address Strobe Precharge Time) — время (в циклах), необходимое для закрытия строки памяти и открытия новой строки. Чем оно меньше, тем быстрее работает модуль памяти.
tRAS (Activate to Precharge Delay) — задержка (в циклах) между командой активации (RAS) и закрытия строки памяти. Чем она меньше, тем быстрее работает модуль памяти.
Ранк — область памяти, состоящая из всех или только части чипов (микросхем) данного модуля памяти. Некоторые материнские платы (в основном серверные) имеют ограничение на количество ранков, поэтому модули памяти с ранком равным единице ценятся немного больше.
Совместимость с материнскими платами или компьютерами, заявленная производителем данного модуля памяти. Полный список совместимых моделей почти всегда гораздо шире.
Модули памяти DDR3 1066/1333MHz
Модули памяти DDR3 1066/1333MHz: цена от 1758 руб, характеристики, фото в интернете-магазине XcomSpb.ru. Купить Модуль памяти DDR3 1066/1333MHz в Санкт-Петербурге можно в нашем каталоге или по телефону +7 (812) 740-11-10. Интернет-магазин XcomSpb.ru осуществляет доставку и продажу Модулей памяти DDR3 1066/1333MHz по Санкт-Петербургу.
- Прием жалоб
и предложений - Отдел рекламаций
- Уцененные товары
- Техническая поддержка
- Установка ПО
и модернизация ПК - Обслуживание
ИТ‑инфраструктур - Аутсорсинг
офисной печати - Обслуживание
копировально‑печатной техники - Установка
видеонаблюдения
Офис м. Ладожская
195027, г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, д.30, лит. А.
Оформление заказа:
+7 (812) 740-11-10 розничные продажи
+7 (812) 740-11-20 корпоративные продажи
email: zakaz-spb@xcom.ru
с 9.00 до 21.00 в будни,
с 10.00 до 18.00 в выходные,
через сайт — круглосуточно.
Отдел доставки:
+7 (812) 740-11-20
с 09.00 до 18.00 в будни.
Отдел приема рекламаций:
+7 (812) 740-11-20
email: piterbrak@xcomspb.ru
с 9.00 до 19.00 в будни,
с 10.00 до 18.00 в субботу.
Типы оперативной памяти
RAM — обобщенное понятие. В большинстве случаев его используют, обсуждая классический тип ОЗУ — DRAM (динамическая память с произвольным доступом). Для большинства же современных систем начали применять другой тип — SDRAM (синхронная динамическая память). Однако, терминология не имеет принципиального значения. У каждого типа есть свои тонкости, но они не принципиальны.
В 2019 году самым распространенным видом оперативной памяти является DDR4. Хотя на старых устройствах вы вполне можете найти модули DDR3. Цифры рядом с буквенным обозначением ОЗУ говорят нам о поколении оперативной памяти; а с повышением числового значения растет и пропускная способность устройства. Чем выше показатель МГц в характеристиках RAM, тем более высокая у нее производительность.
Другим типом оперативной памяти является VRAM. Особую популярность она приобрела в среде геймеров, поскольку отвечает за обработку графической составляющей приложений. Технически такая память называется Graphics DDR SDRAM. Или, в зависимости от поколения, например, GDDR5.
Отличия типов памяти
Оперативная память современности — это DDR (данные передаются с двойной скоростью), цифра в названии разновидностей (DDR2, DDR3 или DDR4) означает порядковый номер поколения, чем она выше, тем новее и соответственно мощнее ОЗУ. DDR и DDR2 давно устарели, DDR3 тоже уже сняты с производства, но продолжают использоваться во многих ПК, DDR4 – ОЗУ последнего поколения. Отличия оперативной памяти по типам я привёл в таблице ниже.
| Наименование | Год выпуска | Напряжение | Объём | Частота |
| DDR | 2000 (не применялась до 2002) | 2,5 В и 2,6 В | не более 1 ГБ | 100-200 МГц |
| DDR2 | 2004 | 1,8 В | до 2 ГБ | 533 МГц |
| DDR3 | 2007 | 1,5 В и 1,65 В | до 8 ГБ | базовая 1066 МГц, но может быть и 1600 МГц |
| DDR4 | 2013 | 1,05 В, 1,2 В или 1,35 В | до 32 ГБ и это, вероятно, ещё не предел | база от 2133 МГц |
Отличная оператива
дешёвая, рабочая и вполне адекватная память, которая ни единого раза не вызывала у меня каких-то претензий. Всегда брал именно Kllisre на 8 ГБ, каким-нибудь танбашам не доверял. НО! Именно в этот раз попалась почему-то гнутая.
Одна плашка памяти Kllisre была куплена на Алиэкспрессе в 2018 году за 1450 рублей. С полным названием «Kllisre Ram DDR3 4GB 1333 MHz Desktop Memory 240pin 1.5V sell 2GB/8GB New DIMM «. Сейчас, на момент.
