Максимальный объем памяти ddr2 одной планкой для компьютера
1. Информация на сайте 2HPC.RU носит ознакомительный характер. Все действия описанные в статьях вы совершаете на свой страх и риск! При копировании материалов, прямая индексируемая ссылка на 2HPC.RU — обязательна!
2. Любые предложения представленные на сайте, с указанием цены на тот или иной товар (услугу), носят информативный характер и не являются публичной офертой!
3. Сайт использует файлы cookie. Продолжая работу с сайтом, вы соглашаетесь с этим. Политика конфиденциальности.
Какой максимум ОЗУ поддерживает устройство
? Максимальный объем оперативной памяти, который можно установить в ПК/ноутбук, зависит от трех составляющих:
- процессора;
- материнской платы;
- ОС Windows (32 битные системы «не видят» более 3 ГБ ОЗУ. Также добавлю, что версии «Windows 7 Home» могут иметь ограничение видимости в 8 ГБ!) .
Первые два компонента наиболее важны, т.к. изначально идут с поддержкой только какого-то одного типа памяти (например, DDR4), и имеют ограничения по частоте и объему.
Важно!
Если установить памяти больше, чем поддерживает ЦП или мат. плата (например) — вероятнее всего, устройство просто ее не увидит (и вы зря потратите средства на апгрейд)!
Впрочем, в ряде случаев не исключены синие экраны и отказы ПК загружаться.
? Еще один достаточно существенный момент — обратите внимание на количество слотов под оперативную память на материнской плате. Дело в том, что какие-нибудь утилиты могут показать наличие свободного слота — а по факту его может не быть вовсе (просто не распаян на плате)! И проверить это — можно только разобрав устройство.
Слоты под плашки ОЗУ
? Кстати, что касается ноутбуков — то в ряде случаев у них может не быть вообще ни одного слота (вся ОЗУ просто распаяна на мат. плате)! Наиболее часто это встречается у компактных ультрабуков (Lenovo, например).
Впрочем, большинство средне-бюджетных моделек всё-таки имеет хотя бы 1 слот (как на фото ниже).
Один слот — ноутбук Dell (Only DDR3L)
Модули памяти Qimonda DDR2-800 4 ГБ (HYS64T512020EU-25F-A)
Немецкая компания Qimonda — один из крупнейших производителей чипов памяти, имеет на сегодняшний день, пожалуй, самую широкую линейку этого типа продукции, включая и память для мобильных устройств, и весь спектр оперативной памяти для компьютеров, и видеопамять. Последняя, кстати, — вплоть до GDDR5, причем в официальном списке значатся уже две модели таких чипов — емкостью 512 и 1024 мегабита, а в графе готовности к поставкам стоит характерное «под заказ», и мы, конечно, знаем, для чего в настоящее время используются такие чипы.
Однако конечной продукцией, которая могла бы заинтересовать не только отраслевых потребителей, но и широкие пользовательские массы, являются не чипы памяти, а модули, процесс изготовления которых гораздо проще с технической точки зрения, но, тем не менее, не лишен своих особенностей. Именно поэтому под маркой производителей чипов (это равно касается не только Qimonda, но и Samsung, и Hynix), как правило, продаются лишь непритязательные внешне изделия, способные работать на штатных частотах, причем стабильно и надежно, но представляющие крайне ограниченный интерес в качестве объекта исследования. Мы, однако, решили познакомиться с именно такой парой модулей от Qimonda суммарным объемом 8 ГБ, и, собственно, выяснить: насколько сильно повлияет на скоростные характеристики увеличение плотности микросхем в сочетании с двухбанковой организацией модуля.
Рассуждать на тему: нужен ли кому-то, и зачем столь большой объем памяти, в рамках этой статьи мы не будем. Но если не касаться профессиональных запросов, для которых вполне может быть необходим и больший объем, а ограничиться исключительно впечатлениями «простого пользователя», не интересующегося даже результатами тестов, а лишь собственными ощущениями. То в таком случае, разительно бросающимся в глаза отличием, по сравнению с 4-гигабайтным объемом, является значительно сокращающееся время переключения между приложениями. Например, переключение из любой современной игры в интернет-браузер вместо десятков секунд занимает всего несколько секунд. Это, как минимум, приятно, а насколько необходимо, и стоит ли за это каким-либо образом платить (сами модули дороже, имеют менее высокие характеристики в разгоне по сравнению с распространенными модулями меньшего объема, также необходима установка 64-битной ОС) — решать пользователю. Информация о производителе модуля
Производитель модуля: Qimonda AG
Производитель микросхем модуля: Qimonda AG
Сайт производителя модуля: www.qimonda.ru/Внешний вид модуля
Руководство по расшифровке Part Number модулей памяти имеется в брошюре на сайте, где также перечислено большинство выпускаемых на данный момент модулей и описание характеристик. Впрочем, именно таких модулей, какие оказались в нашем распоряжении, в списке не оказалось (есть такие же 4-гигабайтные с поддержкой ECC, тогда как наши модули коррекцию ошибок не поддерживают).
Модули объемом 4 ГБ основаны на 16 микросхемах в BGA-упаковке в конфигурации 512M x 64. Производитель гарантирует стабильную работу модулей в режиме DDR2-800 при таймингах 5-5-5 (значение RAS в описании не упомянуто, а по SPD равно 18) и питающем напряжении 1,8 В, этот режим и выбран в микросхеме SPD в качестве режима по умолчанию. Продаются модули в OEM-варианте поставки, соответственно, никакого отбора и объединения в 2-канальные комплекты производитель не предлагает. Данные микросхемы SPD модуля
Описание общего стандарта SPD:
Описание специфического стандарта SPD для DDR2:
| Параметр | Байт | Значение | Расшифровка |
| Фундаментальный тип памяти | 2 | 08h | DDR2 SDRAM |
| Общее количество адресных линий строки модуля | 3 | 0Fh | 15 (RA0-RA14) |
| Общее количество адресных линий столбца модуля | 4 | 0Ah | 10 (CA0-CA9) |
| Общее количество физических банков модуля памяти | 5 | 61h | 2 физических банка |
| Внешняя шина данных модуля памяти | 6 | 40h | 64 бит |
| Уровень питающего напряжения | 8 | 05h | SSTL 1.8V |
| Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при максимальной задержке CAS# (CL X) | 9 | 25h | 2.50 нс (400 МГц) |
| Тип конфигурации модуля | 11 | 00h | Non-ECC |
| Тип и способ регенерации данных | 12 | 82h | Очевидно, «имелось в виду» 82h, что соответствует значению 7.8125 мс — 0.5x сокращенная саморегенерация |
| Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти | 13 | 08h | x8 |
| Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти ECC-модуля | 14 | 00h | Не определено |
| Длительность передаваемых пакетов (BL) | 16 | 0Ch | BL = 4, 8 |
| Количество логических банков каждой микросхемы в модуле | 17 | 08h | 8 |
| Поддерживаемые длительности задержки CAS# (CL) | 18 | 70h | CL = 6, 5, 4 |
| Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-1) | 23 | 25h | 2,5 нс (400 МГц) |
| Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-2) | 25 | 3Dh | 3.75 нс (266.7 МГц) |
| Минимальное время подзарядки данных в строке (tRP) | 27 | 32h | 12.5 нс 5, CL = 6 5, CL = 5 3.33, CL = 4 |
| Минимальная задержка между активизацией соседних строк (tRRD) | 28 | 1Eh | 7.5 нс 3, CL = 6 3, CL = 5 2 CL = 4 |
| Минимальная задержка между RAS# и CAS# (tRCD) | 29 | 32h | 12.5 нс 5, CL = 6 5, CL = 5 3.33, CL = 4 |
| Минимальная длительность импульса сигнала RAS# (tRAS) | 30 | 2Dh | 45.0 нс 18, CL = 6 18, CL = 5 12, CL = 4 |
| Емкость одного физического банка модуля памяти | 31 | 02h | 2048 МБ |
| Период восстановления после записи (tWR) | 36 | 3Ch | 15.0 нс 6, CL = 6 6, CL = 5 4, CL = 4 |
| Внутренняя задержка между командами WRITE и READ (tWTR) | 37 | 1Eh | 7.5 нс 3, CL = 6 3, CL = 5 2, CL = 4 |
| Внутренняя задержка между командами READ и PRECHARGE (tRTP) | 38 | 1Eh | 7.5 нс 3, CL = 6 3, CL = 5 2, CL = 4 |
| Минимальное время цикла строки (tRC) | 41, 40 | 39h, 30h | 57.5 нс 23, CL = 6 23, CL = 5 15.3, CL = 4 |
| Период между командами саморегенерации (tRFC) | 42, 40 | C3h, 30h | 195.0 нс 78, CL = 6 78, CL = 5 20.8, CL = 4 |
| Максимальная длительность периода синхросигнала (tCKmax) | 43 | 80h | 8.0 нс |
| Номер ревизии SPD | 62 | 12h | Ревизия 1.2 |
| Идентификационный код производителя по JEDEC | 64-71 | 7Fh, 00h | Qimonda |
| Part Number модуля | 73-90 | — | 64T512020EU25FA |
| Дата изготовления модуля | 93-94 | 07h, 48h | 2007 год, 48 неделя |
| Серийный номер модуля | 95-98 | 1Ah, 02h, 9Ch, 14h |
1A029C14h |
В SPD поддерживаются три значения задержки сигнала CAS# — 6, 5 и 4. Первому и второму (CL X = 6 и 5) соответствует режим функционирования DDR2-800 (время цикла 2.5 нс, частота 400 МГц) с идентичной схемой остальных таймингов 5-5-18 (ровно), третьему значению задержки сигнала CAS# (CL X-1 = 4) соответствует режим DDR2-533 (время цикла 3,75 нс, частота 266,7 МГц) с нестандартной схемой таймингов 4-3,33-3,33-12, которую BIOS большинства плат будет интерпретировать как 4-4-4-12.
Номер ревизии SPD и идентификационный код производителя указаны верно, Part Number соответствуют указанному на самих модулях, а серийный номер отличается от приведенного на стикере.
- процессор: AMD Phenom 9750 (Socket AM2+), 2,4 ГГц (200×12), степпинг B3;
- чипсет: AMD 790FX;
- материнская плата: ASUS M3A32-MVP Deluxe, версия BIOS 1201;
- ОС: Windows XP SP2 x64.
В качестве штатного режима мы использовали рекомендованный производителем и наиболее логичный из сохраненных в SPD (DDR2-800 с таймингами 5-5-5-18). Испытания проводились в двух режимах контроллера памяти в процессоре Phenom: ganged (обеспечивающий более высокую производительность в режиме однопоточного доступа) и unganged (предпочтительный для многопоточных приложений, интенсивно обращающихся к памяти). Не преминули мы проверить и разгонный потенциал, хотя ожидать особых талантов в этой области от модулей высокой емкости вряд ли разумно.
| Qimonda DDR2-800 2×4096МБ (HYS64T512020EU-25F-A) | Apacer Giant DDR2-1066 2×2048МБ | ||||||
| Режим контроллера памяти | Ganged | Unganged | Ganged | Unganged | Ganged | Unganged | |
| Частота памяти, МГц (DDR2 МГц) |
400 (800) |
400 (800) |
456 (912) |
460 (920) |
400 (800) |
400 (800) |
|
| Частота ядер процессора, МГц (DDR2 МГц) |
2400 (200×12) | 2400 (200×12) | 2736 (228×12) | 2760 (230×12) | 2400 (200×12) | 2400 (200×12) | |
| Частота контроллера памяти в процессоре, МГц (DDR2 МГц) |
2000 (200×10) | 2000 (200×10) | 2280 (228×10) | 2300 (230×10) | 2000 (200×10) | 2000 (200×10) | |
| Тайминги памяти по умолчанию, напряжение | 5-5-5-18-2T, 1,8 В |
5-5-5-18-2T, 1,8 В |
5-5-5-15-2T, 2,3 В |
5-5-5-18-2T, 2,3 В |
5-5-5-15-2T, 1,8 В |
5-5-5-15-2T, 1,8 В |
|
| Минимальное напряжение при сохранении стабильности, В | (не изучалось) | (не изучалось) | 2,26 В | 2,22 В | (не изучалось) | (не изучалось) | |
| Средняя ПСП на чтение (МБ/с), 1 ядро |
6082 | 5535 | 6938 | 6354 | 6195 | 5760 | |
| Средняя ПСП на запись (МБ/с), 1 ядро |
3469 | 3459 | 3960 | 3979 | 3548 | 3588 | |
| Макс. ПСП на чтение (МБ/с), 1 ядро |
7014 | 6366 | 8000 | 7306 | 7149 | 6619 | |
| Макс. ПСП на запись (МБ/с), 1 ядро |
4888 | 4953 | 5575 | 5700 | 4965 | 4983 | |
| Средняя ПСП на чтение (МБ/с), 4 ядра |
10764 | 10715 | 12270 | 12406 | 10960 | 11078 | |
| Средняя ПСП на запись (МБ/с), 4 ядра |
3506 | 4965 | 4000 | 5730 | 3550 | 5104 | |
| Макс. ПСП на чтение (w/PF, МБ/с), 4 ядра |
11047 | 10749 | 12594 | 12454 | 11238 | 11105 | |
| Макс. ПСП на запись (NT, МБ/с), 4 ядра |
6288 | 5604 | 7168 | 7228 | 6315 | 6315 | |
| Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс | 36,4 | 38,8 | 32,0 | 33,9 | 35,7 | 37,0 | |
| Минимальная латентность случайного доступа * , нс | 90,1 | 93,3 | 79,0 | 81,1 | 88,2 | 89,5 | |
Для сравнения использовался комплект модулей меньшего объема (2 x 2048 МБ) от Apacer, как видите, отличие в производительности на равной частоте (DDR2-800) имеются, но минимальны. Внимательно приглядевшись, можно обнаружить разве что большее проседание скорости записи в режиме unganged у модулей от Qimonda.
Хотя сами модули явно не адресованы любителям разгона, то есть не имеют радиаторов и рекомендованных режимов работы с повышенными частотами и напряжением, разгон оказался возможен. И даже с лихвой может компенсировать разницу в производительности по сравнению с модулями меньшего объема (но, само собою, работающих на стандартной частоте).
Любопытно, что в режиме unganged в разгоне установлена стабильная работа на более высокой частоте, при этом удалось снизить напряжение с 2,3 В (которое считается негласным максимумом, длительная работа на более высоком напряжении может сократить срок службы модулей) до 2,2 В. Итоги
Модули памяти DDR2 объемом 4 ГБ (для получения двухканальной конфигурации объемом 8 ГБ) уже давно не являются экзотикой, да и цены имеют не заоблачные. И хотя наиболее распространенными в этой категории остаются модули с поддержкой ECC, рассчитанные на сегмент рабочих станций, нет никаких преград, при желании, получить такой объем и в обычном настольном компьютере. Во всяком случае, производительность и стабильность рассмотренных модулей от Qimonda оказались на высоте, так что этими параметрами пользователю жертвовать не придется.
DDR2: память для ноутбука, компьютера. Обзор, характеристики, цены, особенности
Рынок комплектующих для персональных компьютеров постоянно пополняется новыми инновациями и разработками. От этого у многих пользователей, чье финансовое приложение не позволяет регулярно обзаводится новым железом, возникают сомнения в производительности и мощности своего компьютера. Обсуждение большого количества вопросов на технических форумах, связанных с актуальностью используемых компьютерных компонентов никогда не стихает. Вопросы при этом касаются не только процессора и видеокарты, но и оперативной памяти. Несмотря на динамику развития компьютерного железа, актуальность технологий предыдущих поколений не утрачивается так же быстро. Это касается и компонентов памяти.
Память типа DDR2: с первого дня до заката популярности
Память типа DDR2 относится ко второму поколению динамической памяти с произвольным доступом. Это следующее после DDR1 поколения оперативной памяти, которое получило большое распространение в сегменте ПК. Память данного типа была разработана еще в 2003 году. Однако полноценно закрепиться на рынке компьютерных комплектующих данный компонент смог только к концу 2004 года. Только тогда появились чипсеты с поддержкой DDR2. Второе поколение памяти, которое было активно разрекламировано маркетологами, было представлено как мощный альтернативный вариант. Прежде всего из различий стоит выделить способность работать на более высокой частоте, передавая за один такт данные дважды. Стандартным негативным моментом поднятия частот является увеличение времени задержки. К середине 2000-х годов новый тип данных основательно ущемил позиции предыдущего типа памяти. В 2010 года DDR2 была вытеснена пришедшей ей на смену памятью типа DDR3.
DDR2: основные особенности
Распространяемые модули оперативной памяти DDR2, которые в обыденной речи называют «плашками», обладали некоторыми отличительными особенностями. Новый для своего времени тип памяти не поражал воображение. Но внешние отличия сразу бросались в глаза всем покупателям. Устройство представляло собой одностороннюю/двустороннюю планку-модуль SDRAM, на которой микросхемы располагались соответственно с одной или двух сторон. На сегодняшний день стандартным форм-фактором для SDRAM является DIMM. Массовое использование данной памяти в персональных компьютерах началось еще в конце 90-х годов. Главным образом этому способствовало появление процессора PentiumII. SO-DIMM представляет собой укороченный форм-фактор модуля SDRAM, который разрабатывался главным образом для портативных персональных компьютеров. Планки оперативной памяти SO-DIMMDDR2 для ноутбука имели несколько существенных отличий от стандартных DIMM. Данный модуль имел меньшие физические размеры, сниженный уровень энергопотребления и, как следствие, меньший уровень производительности по сравнению со стандартным DIMM. Кроме всех перечисленных выше особенности, особо следует отметить также посредственную «оболочку», которой обладали все плашки тех времен. Практически все они за редким исключением тогда были представлены только стандартными платами с микросхемами. Маркетинговые технологии в области компьютерного железа тогда только начали развиваться, поэтому в продаже просто не было образцов с привычными для современных модулей оперативной памяти радиаторами различного оформления и размеров. Они до сих пор выполняют скорее декоративную функцию, чем задачу отведения выделяемого тепла. В принципе, это и не свойственно оперативной памяти формата DDR.
По своей конструкции память типа DDR2 имеет одно важное отличие от предыдущего типа DDR. Это отсутствие обратной совместимости. В образцах памяти второго поколения иначе располагалась прорезь в зоне контакта планки с разъемом оперативной памяти на системной плате. В результате поставить планку DDR2 в разъем, который был рассчитан на DDR, физически просто не представлялось возможным без поломки одного из компонентов.
Параметры объема
Стандарт DDR2 для серийных материнских плат мог предложить максимальный объем 16 Гб. Лимит по объему для серверных решений доходил до 32 Гб. Стоит также обратить внимание еще на одну техническую особенность: минимальный объем одной планки памяти составляет 1 Гб. Кроме этого на рынке также представлено еще два варианта – на 2 Гб и на 8 Гб. Таким образом, чтобы получить максимально возможный запас оперативной памяти данного стандарта, пользователю нужно будет установить две планки по 8 Гб или четыре планки по 4 Гб.
Частота передачи данных
Данный параметр отвечает за способность шины пропускать большое количество информации за единицу времени. Чем больше будет значение частоты, тем больше данных можно будет передать. В этом вопросе память DDR2 существенно обогнала предыдущее поколение, которое могло работать максимум в диапазоне от 200 до 533 МГц. Минимальное значение частоты для планки DDR2 – 533 МГц. Топовые экземпляры могли похвастаться разгоном до 1200 МГц. Но с ростом частоты поднимались и тайминги, от которых также зависит производительность памяти.
Тайминги
Таймингом называется временной интервал с момента запроса данных до их считывания с оперативной памяти. Чем больше увеличивалась частота модуля, тем больше оперативной памяти требовалось времени на совершение той или иной операции. Данный параметр измеряется в нс. На производительность больше всего влияет тайминг латентности. В спецификациях он обозначается как CL*. Тайминги планок в некоторых случаях указываются трехсимвольной комбинацией. Наиболее критичным параметром в данном случае является первое число. Им всегда обозначается латентность памяти. Если тайминги указаны в четырехзначной комбинации, последнее значение в которой намного больше всех остальных, то это обозначает длительность рабочего цикла в наносекундах.
Второе поколение вызвало немало шума. Это обеспечило данному типу памяти высокую популярность и отличные продажи. Как и предыдущее поколение, такая памятьмогла передавать данные по обоим срезам. Но более быстрая шина, которая обладала возможность передавать данные, значительно увеличила ее работоспособность. Положительным моментом в данном вопросе стала более высокая энергоэффективность. Если это мало сказывалось на общей картине потребления энергии, то на срок службы это повлияло положительно. Однако технологии продолжили развиваться, и в 2007 году появился новый тип памяти DDR3. Его задача заключалась в постепенном вытеснении с рынка устаревающего стандарта DDR2. Но на самом ли деле это устаревание означало, что старый тип памяти больше не мог конкурировать с новой технологией?
Третье поколение
Кроме традиционной обратной несовместимости, формат памяти DDR3 принес несколько технических новшеств в стандарты оперативной памяти. Для серийных материнских плат максимально поддерживаемый объем был увеличен с 16 до 32 Гб. Показатель одного модуля при этом мог достигать 16 Гб вместо 8. Также новый стандарт обеспечил более высокие частоты передачи данных: минимальное значение составило 2133 МГц, а максимальное – 2800 МГц. Также стоит отметить, что уровень энергопотребления в новом стандарте памяти был уменьшен – 1,5 В. На основе стандарта DDR3 были разработаны еще две модификации:LPDDR3 и DDR3L, которые потребляли соответственно 1,2 и 1,35 В. Также вместе с новой архитектурой повысились и тайминги. Падение производительности от этого было нивелировано более высокими рабочими частотами.
По решению покупателя
Обычный покупатель – это не профессиональный инженер-разработчик. Помимо технических характеристик его также интересует и стоимость самого продукта. В начале продаж любого нового поколения компьютерного железа его стоимость обычно является более высокой. По началу даже оперативная память нового типа приходит на рынок с большой ценовой разницей по сравнению с предыдущим поколением. Однако в большинстве приложений пророст в производительности между поколениями памяти вообще отсутствует, или составляет небольшие значения, которые явно недостойны большой переплаты. Единственным верным моментом для перехода на новое поколение оперативной памяти является максимальное падение его стоимости до уровня предыдущего стандарта. Такое всегда происходит в сегменте продаж SDRAM: так было и в случае с DDR2 и DDR, сейчас ситуация повторяется для DDR3 иDDR4. Только когда стоимость переплаты между последним и предыдущим поколением будет составлять минимальное значение, можно будет задуматься о замене планок оперативной памяти. Владельцам компьютеров с памятью DDR2 рациональнее всего было бы обзаводиться новым типом оперативной памяти только при основательном апгрейде с заменой процессора, который поддерживает этот самый новый тип. На сегодняшний день имеет смысл обновлять оборудование до уровня тех компонентов, которые поддерживают память DDR4. Ее стоимость находится уже на одном уровне с DDR3, а прирост в производительности между четвертым и вторым поколением получается намного более значительным, чем между третьим и вторым. В противном случае, если пользователем не запланировано обновление аппаратных компонент, то вполне можно обойтись той же памятью типа DDR2, к тому же сегодня такие планки имеют довольно низкую стоимость. Достаточно будет только при необходимости увеличить общий объем оперативной памяти за счет использования аналогичных модулей. Все допустимые ограничения памяти данного типа сегодня покрывают все нужды большинства пользователей. Так что вполне возможно вам будет достаточно установить дополнительный модуль DDR2 на 2 Гб. При этом отставание в производительности по сравнению со следующими поколениями будет не слишком критичным.
В заключение приведем минимальную стоимость на модули памяти DDR2 в России по состоянию на 2016 год. За модуль DIMMDDR2 для настольного персонального компьютера объемом 1 Гб пользователю придется заплатить 1200 рублей. Такой же модуль объемом 2 Гб будет стоить 100 рублей, а 4 Гб – 3000 рублей. За модуль SODIMMDDR2 для ноутбуков объемом 1 Гб пользователю придется отдать от 1120 до 1300 рублей, объемом 2 Гб – от 1500 до 1800 рублей, объемом 4 Гб – от 5500 до 6200 рублей. Стоит также учитывать, что минимальная цена может варьироваться в зависимости от места жительства покупателя и выбранного магазина.
